Canal-N 650 V 4A (Tc) 20W (Tc) Orificiu străpuns TO-220FP
Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

STF6N65M2

Numărul produsului DigiKey
497-15035-5-ND
Producător
Numărul produsului producătorului
STF6N65M2
Descriere
MOSFET N-CH 650V 4A TO220FP
Referință client
Descriere detaliată
Canal-N 650 V 4A (Tc) 20W (Tc) Orificiu străpuns TO-220FP
Fișă de date
 Fișă de date
Modele EDA/CAD
STF6N65M2 Modele
Atributele produsului
Filtrați produsele similare
Categorie
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs
9.8 nC @ 10 V
Prod.
Vgs (Max)
±25V
Serie
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds
226 pF @ 100 V
Ambalaj
Tub
Caracteristică FET
Stare piesă
Inactual
Disipare putere (Max)
20W (Tc)
Tip FET
Temperatură de funcționare
-55°C – 150°C (TJ)
Tehnologie
Grad
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)
650 V
Calificare
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C
Tip montare
Orificiu străpuns
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)
10V
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220FP
Rds pornit (Max) la Id, Vgs
1,35Ohm la 2A, 10V
Pachet/cutie
Vgs(th) (Max) la Id
4V la 250µA
Număr produs de bază
Clasificări referitoare la mediu și export
Întrebări și răspunsuri referitoare la produse
Resurse suplimentare
Produse înlocuitoare (2)
Număr de catalogProducător CANTITATE DISPONIBILĂNumărul produsului DigiKey Preț unitar Tip produs înlocuitor
STF11N65M2STMicroelectronics0497-15034-5-ND3,71046 leiMFR Recommended
IPA80R1K4CEXKSA1Rochester Electronics, LLC1342156-IPA80R1K4CEXKSA1-IT-ND9,71037 leiSimilar
În stoc: 285
Acest produs nu se mai fabrică, iar stocul acestuia nu va fi reaprovizionat după epuizarea stocului. Se Produse înlocuitoare.