Name: SSM6N813R,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-SSM6N813R,LFTR-ND
Price: 4.5617 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

SSM6N813R,LF
Numărul produsului DigiKey	264-SSM6N813R,LFTR-ND - Bandă și mosor (TR) 264-SSM6N813R,LFCT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 264-SSM6N813R,LFDKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Toshiba Semiconductor and Storage
Numărul produsului producătorului	SSM6N813R,LF
Descriere	MOSFET 2N-CH 100V 3.5A 6TSOPF
Termen de livrare standard al producătorului	16 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Matrice MOSFET 100V 3,5A (Ta) 1,5W (Ta) Montare pe suprafață 6-TSOP-F
Fișă de date	Fișă de date

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Afișați atributele goale

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri Matrice FET, MOSFET	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 3,6nC la 4,5V
Producător Toshiba Semiconductor and Storage	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 242pF la 15V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Putere - Max 1,5W (Ta)
Stare piesă Activ	Temperatură de funcționare 175°C
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Grad Automobile
Configurație Canal 2 N (dublu)	Calificare AEC-Q101
Caracteristică FET –	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 100V	Pachet/cutie 6-SMD, Derivații plate
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 3,5A (Ta)	Pachet dispozitiv furnizor 6-TSOP-F
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 112mOhm la 3,5A, 10V	Număr produs de bază SSM6N813
Vgs(th) (Max) la Id 2,5V la 100µA

Raportați o eroare legată de informațiile despre produs

Documente și media

Clasificări referitoare la mediu și export

Resurse suplimentare

În stoc: 59

Verificați stoc primit suplimentar

Cantitate

Toate prețurile sunt în RON

Bandă tăiată la lungime (CT) & Digi-Reel®

* All Digi-Reel orders will add a 29,00 lei reeling fee.

Bandă și mosor (TR)