Name: SSM6K819R,LXHF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-SSM6K819RLXHFTR-ND
Price: 8.712 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

SSM6K819R,LXHF
Numărul produsului DigiKey	264-SSM6K819RLXHFTR-ND - Bandă și mosor (TR) 264-SSM6K819RLXHFCT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 264-SSM6K819RLXHFDKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Toshiba Semiconductor and Storage
Numărul produsului producătorului	SSM6K819R,LXHF
Descriere	AUTO AEC-Q SS MOS N-CH LOGIC-LEV
Termen de livrare standard al producătorului	16 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 100 V 10A (Ta) 1,5W (Ta) Montare pe suprafață 6-TSOP-F
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	SSM6K819R,LXHF Modele

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Afișați atributele goale

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Vgs (Max) ±20V
Prod. Toshiba Semiconductor and Storage	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 1110 pF @ 15 V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Caracteristică FET –
Stare piesă Activ	Disipare putere (Max) 1,5W (Ta)
Tip FET Canal-N	Temperatură de funcționare 175°C
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Grad Automobile
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 100 V	Calificare AEC-Q101
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 10A (Ta)	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 4,5V, 10V	Pachet dispozitiv furnizor 6-TSOP-F
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 25,8mOhm la 4A, 10V	Pachet/cutie 6-SMD, Derivații plate
Vgs(th) (Max) la Id 2,5V la 100µA	Număr produs de bază SSM6K819
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 8.5 nC @ 4.5 V