Name: SSM6K819R,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-SSM6K819RLFTR-ND
Price: 5.5418 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

SSM6K819R,LF
Numărul produsului DigiKey	264-SSM6K819RLFTR-ND - Bandă și mosor (TR) 264-SSM6K819RLFCT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 264-SSM6K819RLFDKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Toshiba Semiconductor and Storage
Numărul produsului producătorului	SSM6K819R,LF
Descriere	N-CH MOSFET, 100 V, 10 A, 0.0258
Termen de livrare standard al producătorului	16 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 100 V 10A (Ta) 1,5W (Ta) Montare pe suprafață 6-TSOP-F
Fișă de date	Fișă de date

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	-
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	100 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	10A (Ta)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	4,5V, 10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	25,8mOhm la 4A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	2,5V la 100µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	8.5 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)	±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	1110 pF @ 15 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	1,5W (Ta)
Temperatură de funcționare	175°C
Grad	Automobile
Calificare	AEC-Q101
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	6-TSOP-F
Pachet/cutie	6-SMD, Derivații plate
Număr produs de bază	SSM6K819