Name: CSD19537Q3
Brand: Texas Instruments
SKU: 296-44351-2-ND
Price: 9.8615 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

CSD19537Q3
Numărul produsului DigiKey	296-44351-2-ND - Bandă și mosor (TR) 296-44351-1-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 296-44351-6-ND - Digi-Reel®
Producător	Texas Instruments
Numărul produsului producătorului	CSD19537Q3
Descriere	MOSFET N-CH 100V 9.7A/50A 8VSON
Termen de livrare standard al producătorului	12 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 100 V 50A (Ta) 2,8W (Ta), 83W (Tc) Montare pe suprafață 8-VSON-CLIP (3,3x3,3)
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	CSD19537Q3 Modele

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 21 nC @ 10 V
Prod. Texas Instruments	Vgs (Max) ±20V
Serie NexFET™	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 1680 pF @ 50 V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Caracteristică FET –
Stare piesă Activ	Disipare putere (Max) 2,8W (Ta), 83W (Tc)
Tip FET Canal-N	Temperatură de funcționare -55°C – 150°C (TJ)
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Grad –
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 100 V	Calificare –
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 50A (Ta)	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 6V, 10V	Pachet dispozitiv furnizor 8-VSON-CLIP (3,3x3,3)
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 14,5mOhm la 10A, 10V	Pachet/cutie 8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) la Id 3,6V la 250µA	Număr produs de bază CSD19537