Name: STH2N120K5-2AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-STH2N120K5-2AGTR-ND
Price: 29.3183 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

STH2N120K5-2AG
Numărul produsului DigiKey	497-STH2N120K5-2AGTR-ND - Bandă și mosor (TR) 497-STH2N120K5-2AGCT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 497-STH2N120K5-2AGDKR-ND - Digi-Reel®
Producător	STMicroelectronics
Numărul produsului producătorului	STH2N120K5-2AG
Descriere	MOSFET N-CH 1200V 1.5A H2PAK-2
Termen de livrare standard al producătorului	18 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 1200 V 1,5A (Tc) 60W (Tc) Montare pe suprafață H2PAK-2
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	STH2N120K5-2AG Modele

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Afișați atributele goale

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Vgs (Max) ±30V
Prod. STMicroelectronics	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 124 pF @ 100 V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Caracteristică FET –
Stare piesă Activ	Disipare putere (Max) 60W (Tc)
Tip FET Canal-N	Temperatură de funcționare -55°C – 150°C (TJ)
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Grad Automobile
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 1200 V	Calificare AEC-Q101
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 1,5A (Tc)	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 10V	Pachet dispozitiv furnizor H2PAK-2
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 10Ohm la 500mA, 10V	Pachet/cutie TO-263-3, D2PAK (2 conductoare + lamelă), TO-263AB
Vgs(th) (Max) la Id 4V la 100µA	Număr produs de bază STH2N120
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 5.3 nC @ 10 V