Name: SCTL90N65G2V
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-SCTL90N65G2VTR-ND
Price: 163.6525 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

SCTL90N65G2V
Numărul produsului DigiKey	497-SCTL90N65G2VTR-ND - Bandă și mosor (TR) 497-SCTL90N65G2VCT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 497-SCTL90N65G2VDKR-ND - Digi-Reel®
Producător	STMicroelectronics
Numărul produsului producătorului	SCTL90N65G2V
Descriere	SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
Termen de livrare standard al producătorului	18 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 650 V 40A (Tc) 935W (Tc) Montare pe suprafață PowerFlat™ (8x8) HV
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	SCTL90N65G2V Modele

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Afișați atributele goale

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 157 nC @ 18 V
Prod. STMicroelectronics	Vgs (Max) +22V, -10V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 3380 pF @ 400 V
Stare piesă Activ	Caracteristică FET –
Tip FET Canal-N	Disipare putere (Max) 935W (Tc)
Tehnologie SiCFET (silicon carbid)	Temperatură de funcționare -55°C – 175°C (TJ)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 650 V	Grad –
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 40A (Tc)	Calificare –
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 18V	Tip montare Montare pe suprafață
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 24mOhm la 40A, 18V	Pachet dispozitiv furnizor PowerFlat™ (8x8) HV
Vgs(th) (Max) la Id 5V la 1mA	Pachet/cutie 4-PowerVDFN