Name: SCTL90N65G2V
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-SCTL90N65G2VTR-ND
Price: 153.8394 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

SCTL90N65G2V
Numărul produsului DigiKey	497-SCTL90N65G2VTR-ND - Bandă și mosor (TR) 497-SCTL90N65G2VCT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 497-SCTL90N65G2VDKR-ND - Digi-Reel®
Producător	STMicroelectronics
Numărul produsului producătorului	SCTL90N65G2V
Descriere	SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
Termen de livrare standard al producătorului	16 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 650 V 40A (Tc) 935W (Tc) Montare pe suprafață PowerFlat™ (8x8) HV
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	SCTL90N65G2V Modele

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	STMicroelectronics
Serie	-
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	SiCFET (silicon carbid)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	650 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	40A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	18V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	24mOhm la 40A, 18V
Vgs(th) (Max) la Id	5V la 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	157 nC @ 18 V
Vgs (Max)	+22V, -10V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	3380 pF @ 400 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	935W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	PowerFlat™ (8x8) HV
Pachet/cutie	4-PowerVDFN