Canal-N 650 V 68A (Tc) 315W (Tc) Montare pe suprafață PG-LHSOF-4-1
Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IMTA65R033M2HXTMA1

Numărul produsului DigiKey
448-IMTA65R033M2HXTMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR)
448-IMTA65R033M2HXTMA1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT)
448-IMTA65R033M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător
Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului
IMTA65R033M2HXTMA1
Descriere
SILICON CARBIDE MOSFET
Termen de livrare standard al producătorului
61 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată
Canal-N 650 V 68A (Tc) 315W (Tc) Montare pe suprafață PG-LHSOF-4-1
Fișă de date
 Fișă de date
Atributele produsului
Tip
Descriere
Selectare globală
Categorie
Prod.
Infineon Technologies
Serie
CoolSiC™
Ambalaj
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Stare piesă
Activ
Tip FET
Canal-N
Tehnologie
SiCFET (silicon carbid)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C
68A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)
15V, 20V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs
30mOhm la 27,9A, 20V
Vgs(th) (Max) la Id
5,6V la 5,7mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs
34 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+23V, -7V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds
1214 pF @ 400 V
Caracteristică FET
–
Disipare putere (Max)
315W (Tc)
Temperatură de funcționare
-55°C – 175°C (TJ)
Grad
–
Calificare
–
Tip montare
Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor
PG-LHSOF-4-1
Pachet/cutie
4-PowerLSFN
Întrebări și răspunsuri referitoare la produse

Vedeți ce întreabă inginerii, adresați-vă propriile întrebări sau ajutați un membru al comunității de ingineri DigiKey

În stoc: 1.791
Verificați stoc primit suplimentar
Cantitate
Toate prețurile sunt în RON
Bandă tăiată la lungime (CT) & Digi-Reel®
Cantitate Preț unitar Ext Price
144,67000 lei44,67 lei
1030,59900 lei305,99 lei
10022,65410 lei2.265,41 lei
50022,30504 lei11.152,52 lei
* All Digi-Reel orders will add a 29,00 lei reeling fee.
Bandă și mosor (TR)
Cantitate Preț unitar Ext Price
2.00018,22310 lei36.446,20 lei
Pachet standard de la producător
Preț unitar fără TVA:44,67000 lei
Preț unitar cu TVA:54,05070 lei
V-ar mai putea interesa șiVizualizare toate
8 Articole
IMTA65R026M2HXTMA1

IMTA65R026M2HXTMA1

SILICON CARBIDE MOSFET

Infineon Technologies

52,40000 lei
TW031V65C,LQ

TW031V65C,LQ

N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.031 OH

Toshiba Semiconductor and Storage

167,41000 lei
SCTL90N65G2V

SCTL90N65G2V

SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650

STMicroelectronics

127,96000 lei
NTMT045N065SC1

NTMT045N065SC1

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 3

onsemi

54,98000 lei
TW054V65C,LQ

TW054V65C,LQ

N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.054 OH

Toshiba Semiconductor and Storage

120,37000 lei
SCTL35N65G2V

SCTL35N65G2V

TRANS SJT N-CH 650V PWRFLAT HV

STMicroelectronics

70,30000 lei
IMTA65R050M2HXTMA1

IMTA65R050M2HXTMA1

SILICON CARBIDE MOSFET

Infineon Technologies

31,81000 lei
IMLT65R026M2HXTMA1

IMLT65R026M2HXTMA1

SILICON CARBIDE MOSFET

Infineon Technologies

53,71000 lei