Name: SCTL35N65G2V
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-SCTL35N65G2VTR-ND
Price: 84.5185 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

SCTL35N65G2V
Numărul produsului DigiKey	497-SCTL35N65G2VTR-ND - Bandă și mosor (TR) 497-SCTL35N65G2VCT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 497-SCTL35N65G2VDKR-ND - Digi-Reel®
Producător	STMicroelectronics
Numărul produsului producătorului	SCTL35N65G2V
Descriere	TRANS SJT N-CH 650V PWRFLAT HV
Termen de livrare standard al producătorului	16 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 650 V 40A (Tc) 417W (Tc) Montare pe suprafață PowerFlat™ (8x8) HV
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	SCTL35N65G2V Modele

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	STMicroelectronics
Serie	-
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	SiCFET (silicon carbid)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	650 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	40A (Tc)
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	67mOhm la 20A, Ieșire 20V
Vgs(th) (Max) la Id	5V la 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	73 nC @ 20 V
Vgs (Max)	+22V, -10V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	1370 pF @ 400 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	417W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	PowerFlat™ (8x8) HV
Pachet/cutie	4-PowerVDFN
Număr produs de bază	SCTL35