Name: GCMX010A120B3H1P
Brand: SemiQ
SKU: 1560-GCMX010A120B3H1P-ND
Price: 762.5662 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

GCMX010A120B3H1P
Numărul produsului DigiKey	1560-GCMX010A120B3H1P-ND
Producător	SemiQ
Numărul produsului producătorului	GCMX010A120B3H1P
Descriere	1200V, 10M SIC MOSFET FULL BRIDG
Termen de livrare standard al producătorului	22 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Matrice MOSFET 1200V (1,2kV) 201A (Tc) 600W (Tc) Cu montare pe carcasă –
Fișă de date	Fișă de date

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri Matrice FET, MOSFET	Vgs(th) (Max) la Id 4V la 40mA
Producător SemiQ	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 428nC la 20V
Serie QSiC™	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 10900pF la 800V
Ambalaj Cutie	Putere - Max 600W (Tc)
Stare piesă Activ	Temperatură de funcționare -40°C – 175°C (TJ)
Tehnologie Silicon carbid (SiC)	Grad –
Configurație 4 canale N (punte completă)	Calificare –
Caracteristică FET –	Tip montare Cu montare pe carcasă
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 1200V (1,2kV)	Pachet/cutie Modul
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 201A (Tc)	Pachet dispozitiv furnizor –
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 14mOhm la 100A, 20V