
GCMX008B120B3H1P | |
|---|---|
Numărul produsului DigiKey | 1560-GCMX008B120B3H1P-ND |
Producător | |
Numărul produsului producătorului | GCMX008B120B3H1P |
Descriere | GEN3 1200V 8M SIC FULL BRIDGE MO |
Termen de livrare standard al producătorului | 6 săptămâni |
Referință client | |
Descriere detaliată | Matrice MOSFET 1200V (1,2kV) 120A (Tc) 500W (Tc) Cu montare pe carcasă – |
Fișă de date | Fișă de date |
Categorie | Vgs(th) (Max) la Id 4V la 120mA |
Producător SemiQ | Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 493nC la 18V |
Serie | Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 14400pF la 800V |
Ambalaj Cutie | Putere - Max 500W (Tc) |
Stare piesă Activ | Temperatură de funcționare -40°C – 175°C (TJ) |
Tehnologie Silicon carbid (SiC) | Grad – |
Configurație 4 canale N (punte completă) | Calificare – |
Caracteristică FET – | Tip montare Cu montare pe carcasă |
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 1200V (1,2kV) | Pachet/cutie Modul |
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 120A (Tc) | Pachet dispozitiv furnizor – |
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 12mOhm la 100A, 18V |
| Cantitate | Preț unitar | Ext Price |
|---|---|---|
| 1 | 388,68000 lei | 388,68 lei |
| 10 | 302,83400 lei | 3.028,34 lei |
| 100 | 289,84890 lei | 28.984,89 lei |
| Preț unitar fără TVA: | 388,68000 lei |
|---|---|
| Preț unitar cu TVA: | 470,30280 lei |


