SCT2H12NYTB este inactual și nu se mai fabrică.
Produse înlocuitoare disponibile:

MFR Recommended


Rohm Semiconductor
În stoc: 625
Preț unitar : 24,49000 lei
Fișă de date
Canal-N 1700 V 4A (Tc) 44W (Tc) Montare pe suprafață TO-268
Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.
Canal-N 1700 V 4A (Tc) 44W (Tc) Montare pe suprafață TO-268
ROHM 4-pin SiC Power MOSFETs | Digi-Key Daily
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions

SCT2H12NYTB

Numărul produsului DigiKey
SCT2H12NYTBTR-ND - Bandă și mosor (TR)
SCT2H12NYTBCT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT)
SCT2H12NYTBDKR-ND - Digi-Reel®
Producător
Numărul produsului producătorului
SCT2H12NYTB
Descriere
SICFET N-CH 1700V 4A TO268
Referință client
Descriere detaliată
Canal-N 1700 V 4A (Tc) 44W (Tc) Montare pe suprafață TO-268
Fișă de date
 Fișă de date
Modele EDA/CAD
SCT2H12NYTB Modele
Atributele produsului
Tip
Descriere
Selectare globală
Categorie
Prod.
Serie
-
Ambalaj
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Stare piesă
Inactual
Tip FET
Tehnologie
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)
1700 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)
18V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs
1,5Ohm la 1,1A, 18V
Vgs(th) (Max) la Id
4V la 410µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs
14 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+22V, -6V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds
184 pF @ 800 V
Caracteristică FET
Disipare putere (Max)
44W (Tc)
Temperatură de funcționare
175°C (TJ)
Grad
Calificare
Tip montare
Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor
TO-268
Pachet/cutie
Număr produs de bază
Întrebări și răspunsuri referitoare la produse

Vedeți ce întreabă inginerii, adresați-vă propriile întrebări sau ajutați un membru al comunității de ingineri DigiKey

Inactual
Acest produs nu se mai fabrică. Se Produse înlocuitoare.