SCT2H12NYTB Rohm Semiconductor | Produse cu semiconductori discreți

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

SCT2H12NYTB
Numărul produsului DigiKey	SCT2H12NYTBTR-ND - Bandă și mosor (TR) SCT2H12NYTBCT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) SCT2H12NYTBDKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Rohm Semiconductor
Numărul produsului producătorului	SCT2H12NYTB
Descriere	SICFET N-CH 1700V 4A TO268
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 1700 V 4A (Tc) 44W (Tc) Montare pe suprafață TO-268
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	SCT2H12NYTB Modele

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Rohm Semiconductor
Serie	-
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Inactual
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	SiCFET (silicon carbid)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	1700 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	4A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	18V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	1,5Ohm la 1,1A, 18V
Vgs(th) (Max) la Id	4V la 410µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	14 nC @ 18 V
Vgs (Max)	+22V, -6V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	184 pF @ 800 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	44W (Tc)
Temperatură de funcționare	175°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	TO-268
Pachet/cutie	TO-268-3, D3PAK (2 conductoare + lamelă), TO-268AA
Număr produs de bază	SCT2H12