Name: SCT2H12NWBTL1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-SCT2H12NWBTL1TR-ND
Price: 31.3148 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

SCT2H12NWBTL1
Numărul produsului DigiKey	846-SCT2H12NWBTL1TR-ND - Bandă și mosor (TR) 846-SCT2H12NWBTL1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 846-SCT2H12NWBTL1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Rohm Semiconductor
Numărul produsului producătorului	SCT2H12NWBTL1
Descriere	SICFET N-CH 1700V 4A TO268
Termen de livrare standard al producătorului	23 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 1700 V 3,9A (Tc) 39W (Tc) Montare pe suprafață TO-263CA-7LSHYAD
Fișă de date	Fișă de date

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Afișați atributele goale

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 24 nC @ 18 V
Prod. Rohm Semiconductor	Vgs (Max) +22V, -6V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 197 pF @ 800 V
Stare piesă Activ	Caracteristică FET –
Tip FET Canal-N	Disipare putere (Max) 39W (Tc)
Tehnologie SiCFET (silicon carbid)	Temperatură de funcționare 175°C (TJ)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 1700 V	Grad –
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 3,9A (Tc)	Calificare –
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 18V	Tip montare Montare pe suprafață
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 1,5Ohm la 1,1A, 18V	Pachet dispozitiv furnizor TO-263CA-7LSHYAD
Vgs(th) (Max) la Id 4V la 410µA	Pachet/cutie TO-263-8, D2PAK (7 conductoare + lamelă), TO-263CA