SCT2160KEC este inactual și nu se mai fabrică.
Produse înlocuitoare disponibile:

Direct


Rohm Semiconductor
În stoc: 450
Preț unitar : 13,61000 lei
Fișă de date

Similar


IXYS
În stoc: 277
Preț unitar : 12,26000 lei
Fișă de date

Similar


IXYS
În stoc: 201
Preț unitar : 20,08000 lei
Fișă de date

Similar


IXYS
În stoc: 677
Preț unitar : 23,66000 lei
Fișă de date

Similar


Microchip Technology
În stoc: 26
Preț unitar : 7,44000 lei
Fișă de date
Canal-N 1200 V 22A (Tc) 165W (Tc) Orificiu străpuns TO-247
Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.
Canal-N 1200 V 22A (Tc) 165W (Tc) Orificiu străpuns TO-247
ROHM 4-pin SiC Power MOSFETs | Digi-Key Daily

SCT2160KEC

Numărul produsului DigiKey
SCT2160KEC-ND
Producător
Numărul produsului producătorului
SCT2160KEC
Descriere
SICFET N-CH 1200V 22A TO247
Referință client
Descriere detaliată
Canal-N 1200 V 22A (Tc) 165W (Tc) Orificiu străpuns TO-247
Fișă de date
 Fișă de date
Atributele produsului
Tip
Descriere
Selectare globală
Categorie
Prod.
Serie
-
Ambalaj
Tub
Stare piesă
Inactual
Tip FET
Tehnologie
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)
1200 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)
18V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs
208mOhm la 7A, 18V
Vgs(th) (Max) la Id
4V la 2,5mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs
62 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+22V, -6V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds
1200 pF @ 800 V
Caracteristică FET
Disipare putere (Max)
165W (Tc)
Temperatură de funcționare
175°C (TJ)
Grad
Calificare
Tip montare
Orificiu străpuns
Pachet dispozitiv furnizor
TO-247
Pachet/cutie
Număr produs de bază
Întrebări și răspunsuri referitoare la produse

Vedeți ce întreabă inginerii, adresați-vă propriile întrebări sau ajutați un membru al comunității de ingineri DigiKey

Inactual
Acest produs nu se mai fabrică. Se Produse înlocuitoare.