SCT2120AFC este inactual și nu se mai fabrică.
Produse înlocuitoare disponibile:

Similar


Rohm Semiconductor
În stoc: 1.259
Preț unitar : 26,64000 lei
Fișă de date

Similar


Rohm Semiconductor
În stoc: 1.798
Preț unitar : 111,62000 lei
Fișă de date

Similar


onsemi
În stoc: 790
Preț unitar : 18,84000 lei
Fișă de date

Similar


onsemi
În stoc: 1.659
Preț unitar : 23,46000 lei
Fișă de date

Similar


Infineon Technologies
În stoc: 0
Preț unitar : 11,86000 lei
Fișă de date

Similar


IXYS
În stoc: 298
Preț unitar : 26,20000 lei
Fișă de date

Similar


IXYS
În stoc: 4.400
Preț unitar : 27,77000 lei
Fișă de date

Similar


IXYS
În stoc: 77
Preț unitar : 25,59000 lei
Fișă de date

Similar


IXYS
În stoc: 255
Preț unitar : 29,56000 lei
Fișă de date

Similar


Infineon Technologies
În stoc: 367
Preț unitar : 20,80000 lei
Fișă de date

Similar


STMicroelectronics
În stoc: 363
Preț unitar : 32,96000 lei
Fișă de date

Similar


Toshiba Semiconductor and Storage
În stoc: 23
Preț unitar : 20,84000 lei
Fișă de date

Similar


Infineon Technologies
În stoc: 260
Preț unitar : 19,84000 lei
Fișă de date

Similar


Infineon Technologies
În stoc: 368
Preț unitar : 17,70000 lei
Fișă de date
R6014YNX3C16
Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.
R6014YNX3C16
ROHM 4-pin SiC Power MOSFETs | Digi-Key Daily

SCT2120AFC

Numărul produsului DigiKey
SCT2120AFC-ND
Producător
Numărul produsului producătorului
SCT2120AFC
Descriere
SICFET N-CH 650V 29A TO220AB
Referință client
Descriere detaliată
Canal-N 650 V 29A (Tc) 165W (Tc) Orificiu străpuns TO-220AB
Fișă de date
 Fișă de date
Atributele produsului
Tip
Descriere
Selectare globală
Categorie
Prod.
Serie
-
Ambalaj
Tub
Stare piesă
Inactual
Tip FET
Tehnologie
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)
18V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs
156mOhm la 10A, 18V
Vgs(th) (Max) la Id
4V la 3,3mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs
61 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+22V, -6V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds
1200 pF @ 500 V
Caracteristică FET
Disipare putere (Max)
165W (Tc)
Temperatură de funcționare
175°C (TJ)
Grad
Calificare
Tip montare
Orificiu străpuns
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220AB
Pachet/cutie
Număr produs de bază
Întrebări și răspunsuri referitoare la produse

Vedeți ce întreabă inginerii, adresați-vă propriile întrebări sau ajutați un membru al comunității de ingineri DigiKey

Inactual
Acest produs nu se mai fabrică. Se Produse înlocuitoare.