Name: SIHP21N65EF-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHP21N65EF-GE3-ND
Price: 29.3062 RON
Availability: OutOfStock

SIHP21N65EF-GE3
Numărul produsului DigiKey	SIHP21N65EF-GE3-ND
Producător	Vishay Siliconix
Numărul produsului producătorului	SIHP21N65EF-GE3
Descriere	MOSFET N-CH 650V 21A TO220AB
Termen de livrare standard al producătorului	22 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 650 V 21A (Tc) 208W (Tc) Orificiu străpuns TO-220AB
Fișă de date	Fișă de date

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Vishay Siliconix
Serie	-
Ambalaj	Tub
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	650 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	21A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	180mOhm la 11A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	4V la 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	106 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	2322 pF @ 100 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	208W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 150°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Orificiu străpuns
Pachet dispozitiv furnizor	TO-220AB
Pachet/cutie	TO-220-3
Număr produs de bază	SIHP21

Preț unitar fără TVA:	24,22000 lei
Preț unitar cu TVA:	29,30620 lei

SIHP21N65EF-GE3