SCH2080KEC este inactual și nu se mai fabrică.
Produse înlocuitoare disponibile:

Similar


Rohm Semiconductor
În stoc: 1.253
Preț unitar : 5,23000 lei
Fișă de date

Similar


IXYS
În stoc: 572
Preț unitar : 15,81000 lei
Fișă de date

Similar


IXYS
În stoc: 0
Preț unitar : 29,36000 lei
Fișă de date

Similar


STMicroelectronics
În stoc: 340
Preț unitar : 13,08000 lei
Fișă de date

Similar


STMicroelectronics
În stoc: 488
Preț unitar : 13,99000 lei
Fișă de date

Similar


STMicroelectronics
În stoc: 592
Preț unitar : 13,20000 lei
Fișă de date
Canal-N 1200 V 40A (Tc) 262W (Tc) Orificiu străpuns TO-247
Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.
Canal-N 1200 V 40A (Tc) 262W (Tc) Orificiu străpuns TO-247
ROHM 4-pin SiC Power MOSFETs | Digi-Key Daily

SCH2080KEC

Numărul produsului DigiKey
SCH2080KEC-ND
Producător
Numărul produsului producătorului
SCH2080KEC
Descriere
SICFET N-CH 1200V 40A TO247
Referință client
Descriere detaliată
Canal-N 1200 V 40A (Tc) 262W (Tc) Orificiu străpuns TO-247
Fișă de date
 Fișă de date
Atributele produsului
Tip
Descriere
Selectare globală
Categorie
Prod.
Serie
-
Ambalaj
Tub
Stare piesă
Inactual
Tip FET
Tehnologie
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)
1200 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)
18V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs
117mOhm la 10A, 18V
Vgs(th) (Max) la Id
4V la 4,4mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs
106 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+22V, -6V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds
1850 pF @ 800 V
Caracteristică FET
Disipare putere (Max)
262W (Tc)
Temperatură de funcționare
175°C (TJ)
Grad
Calificare
Tip montare
Orificiu străpuns
Pachet dispozitiv furnizor
TO-247
Pachet/cutie
Număr produs de bază
Întrebări și răspunsuri referitoare la produse

Vedeți ce întreabă inginerii, adresați-vă propriile întrebări sau ajutați un membru al comunității de ingineri DigiKey

Inactual
Acest produs nu se mai fabrică. Se Produse înlocuitoare.