Name: RS6L120BGTB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RS6L120BGTB1TR-ND
Price: 24.5509 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

RS6L120BGTB1
Numărul produsului DigiKey	846-RS6L120BGTB1TR-ND - Bandă și mosor (TR) 846-RS6L120BGTB1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 846-RS6L120BGTB1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Rohm Semiconductor
Numărul produsului producătorului	RS6L120BGTB1
Descriere	NCH 60V 120A, HSOP8, POWER MOSFE
Termen de livrare standard al producătorului	18 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 60 V 120A (Tc) 104W (Tc) Montare pe suprafață 8-HSOP
Fișă de date	Fișă de date

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Afișați atributele goale

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 51 nC @ 10 V
Prod. Rohm Semiconductor	Vgs (Max) ±20V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 3520 pF @ 30 V
Stare piesă Activ	Caracteristică FET –
Tip FET Canal-N	Disipare putere (Max) 104W (Tc)
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Temperatură de funcționare 150°C (TJ)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 60 V	Grad –
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 120A (Tc)	Calificare –
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 4,5V, 10V	Tip montare Montare pe suprafață
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 2,7mOhm la 90A, 10V	Pachet dispozitiv furnizor 8-HSOP
Vgs(th) (Max) la Id 2,5V la 1mA	Pachet/cutie 8-PowerTDFN