RQ3P300BETB1 este inactual și nu se mai fabrică.
Produse înlocuitoare disponibile:

Similar

STL8N10F7
STMicroelectronics
În stoc: 2.810
Preț unitar : 6,71000 lei
Fișă de date
Vedeți și comparați toate produsele înlocuitoare
Canal-N 100 V 10A (Ta), 36A (Tc) 2W (Ta), 32W (Tc) Montare pe suprafață 8-HSMT (3,2x3)
Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.
Canal-N 100 V 10A (Ta), 36A (Tc) 2W (Ta), 32W (Tc) Montare pe suprafață 8-HSMT (3,2x3)
8 HSMT

RQ3P300BETB1

Numărul produsului DigiKey
RQ3P300BETB1TR-ND - Bandă și mosor (TR)
Producător
Rohm Semiconductor
Numărul produsului producătorului
RQ3P300BETB1
Descriere
MOSFET N-CH 100V 10A/36A 8HSMT
Referință client
Descriere detaliată
Canal-N 100 V 10A (Ta), 36A (Tc) 2W (Ta), 32W (Tc) Montare pe suprafață 8-HSMT (3,2x3)
Modele EDA/CAD
RQ3P300BETB1 Modele
Atributele produsului
Tip
Descriere
Selectare globală
Categorie
Prod.
Rohm Semiconductor
Serie
-
Ambalaj
Bandă și mosor (TR)
Stare piesă
Inactual
Tip FET
Canal-N
Tehnologie
MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C
10A (Ta), 36A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)
10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs
21mOhm la 10A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id
4V la 200µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs
19.1 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds
1250 pF @ 50 V
Caracteristică FET
–
Disipare putere (Max)
2W (Ta), 32W (Tc)
Temperatură de funcționare
150°C (TJ)
Grad
–
Calificare
–
Tip montare
Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor
8-HSMT (3,2x3)
Pachet/cutie
8-PowerVDFN
Număr produs de bază
RQ3P300
Întrebări și răspunsuri referitoare la produse

Vedeți ce întreabă inginerii, adresați-vă propriile întrebări sau ajutați un membru al comunității de ingineri DigiKey

Inactual
Acest produs nu se mai fabrică. Se Produse înlocuitoare.