Name: RQ3L070ATTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RQ3L070ATTBTR-ND
Price: 10.6601 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

RQ3L070ATTB
Numărul produsului DigiKey	846-RQ3L070ATTBTR-ND - Bandă și mosor (TR) 846-RQ3L070ATTBCT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 846-RQ3L070ATTBDKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Rohm Semiconductor
Numărul produsului producătorului	RQ3L070ATTB
Descriere	PCH -60V -25A, HSMT8, POWER MOSF
Termen de livrare standard al producătorului	21 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal P 60 V 25A (Tc) 2W (Ta) Montare pe suprafață 8-HSMT (3,2x3)
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	RQ3L070ATTB Modele

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Rohm Semiconductor
Serie	-
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal P
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	60 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	25A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	4,5V, 10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	28mOhm la 7A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	2,5V la 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	48 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	2850 pF @ 30 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	2W (Ta)
Temperatură de funcționare	150°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	8-HSMT (3,2x3)
Pachet/cutie	8-PowerVDFN
Număr produs de bază	RQ3L070