Name: RF9P120BKFRATCR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RF9P120BKFRATCRTR-ND
Price: 8.3853 RON
Availability: InStock

Produs nou

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

RF9P120BKFRATCR
Numărul produsului DigiKey	846-RF9P120BKFRATCRTR-ND - Bandă și mosor (TR) 846-RF9P120BKFRATCRCT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 846-RF9P120BKFRATCRDKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Rohm Semiconductor
Numărul produsului producătorului	RF9P120BKFRATCR
Descriere	NCH 100V 12A, DFN2020Y7LSAA, POW
Termen de livrare standard al producătorului	16 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 100 V 12A (Tc) 23W (Tc) Montare pe suprafață DFN2020Y7LSAA
Fișă de date	Fișă de date

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Rohm Semiconductor
Serie	-
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	100 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	12A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	4,5V, 10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	58mOhm la 3A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	2,5V la 671µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	6.9 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±12V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	360 pF @ 50 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	23W (Tc)
Temperatură de funcționare	150°C (TJ)
Grad	Automobile
Calificare	AEC-Q101
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	DFN2020Y7LSAA
Pachet/cutie	Plăcuță expusă 6-UDFN