Name: IAUZ18N10S5L420ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUZ18N10S5L420ATMA1TR-ND
Price: 8.0223 RON
Availability: InStock

Canal-N 100 V 18A (Tc) 30W (Tc) Montare pe suprafață PG-TSDSON-8-32

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IAUZ18N10S5L420ATMA1
Numărul produsului DigiKey	448-IAUZ18N10S5L420ATMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR) 448-IAUZ18N10S5L420ATMA1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 448-IAUZ18N10S5L420ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IAUZ18N10S5L420ATMA1
Descriere	MOSFET N-CH 100V 18A TSDSON-8-32
Termen de livrare standard al producătorului	35 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 100 V 18A (Tc) 30W (Tc) Montare pe suprafață PG-TSDSON-8-32
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	IAUZ18N10S5L420ATMA1 Modele

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 8 nC @ 10 V
Prod. Infineon Technologies	Vgs (Max) ±20V
Serie OptiMOS™ 5	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 470 pF @ 50 V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Caracteristică FET –
Stare piesă Activ	Disipare putere (Max) 30W (Tc)
Tip FET Canal-N	Temperatură de funcționare -55°C – 175°C (TJ)
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Grad Automobile
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 100 V	Calificare AEC-Q101
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 18A (Tc)	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 4,5V, 10V	Pachet dispozitiv furnizor PG-TSDSON-8-32
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 42mOhm la 9A, 10V	Pachet/cutie 8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) la Id 2,2V la 8µA	Număr produs de bază IAUZ18