Name: RF4E100AJTCR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RF4E100AJTCRTR-ND
Price: 7.2842 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

RF4E100AJTCR
Numărul produsului DigiKey	RF4E100AJTCRTR-ND - Bandă și mosor (TR) RF4E100AJTCRCT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) RF4E100AJTCRDKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Rohm Semiconductor
Numărul produsului producătorului	RF4E100AJTCR
Descriere	MOSFET N-CH 30V 10A HUML2020L8
Termen de livrare standard al producătorului	21 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 30 V 10A (Ta) 2W (Tc) Montare pe suprafață HUML2020L8
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	RF4E100AJTCR Modele

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Rohm Semiconductor
Serie	-
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	30 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	10A (Ta)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	4,5V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	12,4mOhm la 10A, 4,5V
Vgs(th) (Max) la Id	1,5V la 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	13 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)	±12V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	1460 pF @ 15 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	2W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 150°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	HUML2020L8
Pachet/cutie	8-PowerUDFN
Număr produs de bază	RF4E100