



R6007ENX | |
|---|---|
Numărul produsului DigiKey | R6007ENX-ND |
Producător | |
Numărul produsului producătorului | R6007ENX |
Descriere | MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM |
Termen de livrare standard al producătorului | 18 săptămâni |
Referință client | |
Descriere detaliată | Canal-N 600 V 7A (Tc) 40W (Tc) Orificiu străpuns TO-220FM |
Fișă de date | Fișă de date |
Modele EDA/CAD | R6007ENX Modele |
Categorie | Vgs (Max) ±20V |
Prod. | Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 390 pF @ 25 V |
Ambalaj Vrac | Caracteristică FET – |
Stare piesă Activ | Disipare putere (Max) 40W (Tc) |
Tip FET | Temperatură de funcționare 150°C (TJ) |
Tehnologie | Grad – |
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 600 V | Calificare – |
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C | Tip montare Orificiu străpuns |
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 10V | Pachet dispozitiv furnizor TO-220FM |
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 620mOhm la 2,4A, 10V | Pachet/cutie |
Vgs(th) (Max) la Id 4V la 1mA | Număr produs de bază |
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 20 nC @ 10 V |
| Număr de catalog | Producător | CANTITATE DISPONIBILĂ | Numărul produsului DigiKey | Preț unitar | Tip produs înlocuitor |
|---|---|---|---|---|---|
| IPAN65R650CEXKSA1 | Infineon Technologies | 14 | IPAN65R650CEXKSA1-ND | 8,54000 lei | Similar |
| IXTP4N70X2M | IXYS | 24 | 238-IXTP4N70X2M-ND | 22,07000 lei | Similar |
| TK8A65W,S5X | Toshiba Semiconductor and Storage | 10 | TK8A65WS5X-ND | 11,66000 lei | Similar |
| Cantitate | Preț unitar | Ext Price |
|---|---|---|
| 1 | 14,74000 lei | 14,74 lei |
| 10 | 9,59300 lei | 95,93 lei |
| 100 | 6,65290 lei | 665,29 lei |
| 500 | 5,39594 lei | 2.697,97 lei |
| 1.000 | 4,99210 lei | 4.992,10 lei |
| 2.000 | 4,65261 lei | 9.305,22 lei |
| 5.000 | 4,30249 lei | 21.512,45 lei |
| Preț unitar fără TVA: | 14,74000 lei |
|---|---|
| Preț unitar cu TVA: | 17,83540 lei |

