
IPAN65R650CEXKSA1 | |
|---|---|
Numărul produsului DigiKey | IPAN65R650CEXKSA1-ND |
Producător | |
Numărul produsului producătorului | IPAN65R650CEXKSA1 |
Descriere | MOSFET N-CH 650V 10.1A TO220 |
Referință client | |
Descriere detaliată | Canal-N 650 V 10,1A (Tc) 28W (Tc) Orificiu străpuns PG-TO220-FP |
Fișă de date | Fișă de date |
Modele EDA/CAD | IPAN65R650CEXKSA1 Modele |
Categorie | Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 23 nC @ 10 V |
Prod. | Vgs (Max) ±20V |
Serie | Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 440 pF @ 100 V |
Ambalaj Tub | Caracteristică FET – |
Stare piesă Ultima ocazie de cumpărare | Disipare putere (Max) 28W (Tc) |
Tip FET | Temperatură de funcționare -40°C – 150°C (TJ) |
Tehnologie | Grad – |
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 650 V | Calificare – |
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C | Tip montare Orificiu străpuns |
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 10V | Pachet dispozitiv furnizor PG-TO220-FP |
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 650mOhm la 2,1A, 10V | Pachet/cutie |
Vgs(th) (Max) la Id 3,5V la 210µA | Număr produs de bază |
| Număr de catalog | Producător | CANTITATE DISPONIBILĂ | Numărul produsului DigiKey | Preț unitar | Tip produs înlocuitor |
|---|---|---|---|---|---|
| IPAN70R600P7SXKSA1 | Infineon Technologies | 500 | IPAN70R600P7SXKSA1-ND | 8,06000 lei | MFR Recommended |
| FCPF850N80Z | onsemi | 753 | FCPF850N80Z-ND | 17,21000 lei | Similar |
| IXTP4N70X2M | IXYS | 24 | 238-IXTP4N70X2M-ND | 22,07000 lei | Similar |
| STF10LN80K5 | STMicroelectronics | 183 | 497-16499-5-ND | 17,30000 lei | Similar |
| STP10NK70ZFP | STMicroelectronics | 951 | 497-12602-5-ND | 23,84000 lei | Similar |
| Cantitate | Preț unitar | Ext Price |
|---|---|---|
| 1 | 8,54000 lei | 8,54 lei |
| Preț unitar fără TVA: | 8,54000 lei |
|---|---|
| Preț unitar cu TVA: | 10,33340 lei |







