BSM400D12P3G002
Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.
BSM400D12P3G002
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions
4th Gen SiC MOSFETs

BSM400D12P3G002

Numărul produsului DigiKey
846-BSM400D12P3G002-ND
Producător
Numărul produsului producătorului
BSM400D12P3G002
Descriere
MOSFET 2N-CH 1200V 400A MODULE
Referință client
Descriere detaliată
Matrice MOSFET 1200V (1,2kV) 400A (Tc) 1570W (Tc) Cu montare pe carcasă Modul
Fișă de date
 Fișă de date
Atributele produsului
Tip
Descriere
Selectare globală
Categorie
Producător
Rohm Semiconductor
Serie
-
Ambalaj
Vrac
Stare piesă
Inactual
Tehnologie
Silicon carbid (SiC)
Configurație
Canal 2 N (Semi-punte)
Caracteristică FET
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)
1200V (1,2kV)
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C
400A (Tc)
Rds pornit (Max) la Id, Vgs
Vgs(th) (Max) la Id
5,6V la 109,2mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds
17000pF la 10V
Putere - Max
1570W (Tc)
Temperatură de funcționare
-40°C – 150°C (TJ)
Tip montare
Cu montare pe carcasă
Pachet/cutie
Modul
Pachet dispozitiv furnizor
Modul
Număr produs de bază
Întrebări și răspunsuri referitoare la produse

Vedeți ce întreabă inginerii, adresați-vă propriile întrebări sau ajutați un membru al comunității de ingineri DigiKey

În stoc: 2
Verificați stoc primit suplimentar
Acest produs nu se mai fabrică, iar stocul acestuia nu va fi reaprovizionat după epuizarea stocului. Se Produse înlocuitoare.
Toate prețurile sunt în RON
Vrac
Cantitate Preț unitar Ext Price
15.428,20000 lei5.428,20 lei
Preț unitar fără TVA:5.428,20000 lei
Preț unitar cu TVA:6.568,12200 lei