BSM600D12P3G001 este inactual și nu se mai fabrică.
Produse înlocuitoare disponibile:

MFR Recommended


Rohm Semiconductor
În stoc: 5
Preț unitar : 1.029,05000 lei
Fișă de date
Matrice MOSFET 1200V (1,2kV) 600A (Tc) 2450W (Tc) Cu montare pe carcasă Modul
Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.
Matrice MOSFET 1200V (1,2kV) 600A (Tc) 2450W (Tc) Cu montare pe carcasă Modul
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions
4th Gen SiC MOSFETs

BSM600D12P3G001

Numărul produsului DigiKey
846-BSM600D12P3G001-ND
Producător
Numărul produsului producătorului
BSM600D12P3G001
Descriere
MOSFET 2N-CH 1200V 600A MODULE
Referință client
Descriere detaliată
Matrice MOSFET 1200V (1,2kV) 600A (Tc) 2450W (Tc) Cu montare pe carcasă Modul
Fișă de date
 Fișă de date
Atributele produsului
Filtrați produsele similare
Afișați atributele goale
Categorie
Vgs(th) (Max) la Id
5,6V la 182mA
Producător
Rohm Semiconductor
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs
Ambalaj
Vrac
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds
31000pF la 10V
Stare piesă
Inactual
Putere - Max
2450W (Tc)
Tehnologie
Silicon carbid (SiC)
Temperatură de funcționare
-40°C – 150°C (TJ)
Configurație
Canal 2 N (Semi-punte)
Tip montare
Cu montare pe carcasă
Caracteristică FET
Pachet/cutie
Modul
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)
1200V (1,2kV)
Pachet dispozitiv furnizor
Modul
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C
600A (Tc)
Număr produs de bază
Rds pornit (Max) la Id, Vgs
Clasificări referitoare la mediu și export
Întrebări și răspunsuri referitoare la produse
Resurse suplimentare
Produse înlocuitoare (1)
Număr de catalogProducător CANTITATE DISPONIBILĂNumărul produsului DigiKey Preț unitar Tip produs înlocuitor
BSM600D12P4G103Rohm Semiconductor5846-BSM600D12P4G103-ND1.029,05000 leiMFR Recommended
Inactual
Acest produs nu se mai fabrică. Se Produse înlocuitoare.