BSM600D12P3G001 este inactual și nu se mai fabrică.
Produse înlocuitoare disponibile:

MFR Recommended


Rohm Semiconductor
În stoc: 6
Preț unitar : 5.058,89000 lei
Fișă de date
Matrice MOSFET 1200V (1,2kV) 600A (Tc) 2450W (Tc) Cu montare pe carcasă Modul
Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.
Matrice MOSFET 1200V (1,2kV) 600A (Tc) 2450W (Tc) Cu montare pe carcasă Modul
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions
4th Gen SiC MOSFETs

BSM600D12P3G001

Numărul produsului DigiKey
846-BSM600D12P3G001-ND
Producător
Numărul produsului producătorului
BSM600D12P3G001
Descriere
MOSFET 2N-CH 1200V 600A MODULE
Referință client
Descriere detaliată
Matrice MOSFET 1200V (1,2kV) 600A (Tc) 2450W (Tc) Cu montare pe carcasă Modul
Fișă de date
 Fișă de date
Atributele produsului
Tip
Descriere
Selectare globală
Categorie
Producător
Rohm Semiconductor
Serie
-
Ambalaj
Vrac
Stare piesă
Inactual
Tehnologie
Silicon carbid (SiC)
Configurație
Canal 2 N (Semi-punte)
Caracteristică FET
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)
1200V (1,2kV)
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C
600A (Tc)
Rds pornit (Max) la Id, Vgs
Vgs(th) (Max) la Id
5,6V la 182mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds
31000pF la 10V
Putere - Max
2450W (Tc)
Temperatură de funcționare
-40°C – 150°C (TJ)
Tip montare
Cu montare pe carcasă
Pachet/cutie
Modul
Pachet dispozitiv furnizor
Modul
Număr produs de bază
Întrebări și răspunsuri referitoare la produse

Vedeți ce întreabă inginerii, adresați-vă propriile întrebări sau ajutați un membru al comunității de ingineri DigiKey

Inactual
Acest produs nu se mai fabrică. Se Produse înlocuitoare.