Matrice MOSFET 1200V (1,2kV) 129A (Tc) 371W (Tj) Cu montare pe carcasă 29-PIM (56,7x42,5)
Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.
Matrice MOSFET 1200V (1,2kV) 129A (Tc) 371W (Tj) Cu montare pe carcasă 29-PIM (56,7x42,5)
NXH008T120M3F2PTHG
Enabling Future DCFC with onsemi’s EliteSiC Power Modules

NXH008T120M3F2PTHG

Numărul produsului DigiKey
5556-NXH008T120M3F2PTHG-ND
Producător
Numărul produsului producătorului
NXH008T120M3F2PTHG
Descriere
MOSFET 4N-CH 1200V 129A 29PIM
Termen de livrare standard al producătorului
23 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată
Matrice MOSFET 1200V (1,2kV) 129A (Tc) 371W (Tj) Cu montare pe carcasă 29-PIM (56,7x42,5)
Fișă de date
 Fișă de date
Atributele produsului
Filtrați produsele similare
Afișați atributele goale
Categorie
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs
454nC la 20V
Producător
onsemi
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds
9129pF la 800V
Ambalaj
Tavă
Putere - Max
371W (Tj)
Stare piesă
Activ
Temperatură de funcționare
-40°C – 175°C (TJ)
Tehnologie
Silicon carbid (SiC)
Grad
Configurație
Canal 4N
Calificare
Caracteristică FET
Tip montare
Cu montare pe carcasă
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)
1200V (1,2kV)
Pachet/cutie
Modul
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C
129A (Tc)
Pachet dispozitiv furnizor
29-PIM (56,7x42,5)
Rds pornit (Max) la Id, Vgs
11,5mOhm la 100A, 18V
Număr produs de bază
Vgs(th) (Max) la Id
4,4V la 60mA
Clasificări referitoare la mediu și export
Întrebări și răspunsuri referitoare la produse
Resurse suplimentare
În stoc: 1
Verificați stoc primit suplimentar
Toate prețurile sunt în RON
Tavă
Cantitate Preț unitar Ext Price
1668,33000 lei668,33 lei
20565,31850 lei11.306,37 lei
Pachet standard de la producător
Notă: Ca urmare a serviciilor DigiKey cu valoare adăugată, tipul de ambalare se poate modifica la achiziția produsului în cantități mai mici decât cea a ambalajului standard.
Preț unitar fără TVA:668,33000 lei
Preț unitar cu TVA:808,67930 lei