Matrice MOSFET 1200V (1,2kV) 350A (Tc) 979W (Tc) Cu montare pe carcasă 36-PIM (56,7x62,8)
Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.
Matrice MOSFET 1200V (1,2kV) 350A (Tc) 979W (Tc) Cu montare pe carcasă 36-PIM (56,7x62,8)
Enabling Future DCFC with onsemi’s EliteSiC Power Modules

NXH003P120M3F2PTHG

Numărul produsului DigiKey
5556-NXH003P120M3F2PTHG-ND
Producător
Numărul produsului producătorului
NXH003P120M3F2PTHG
Descriere
MOSFET 2N-CH 1200V 350A 36PIM
Termen de livrare standard al producătorului
23 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată
Matrice MOSFET 1200V (1,2kV) 350A (Tc) 979W (Tc) Cu montare pe carcasă 36-PIM (56,7x62,8)
Fișă de date
 Fișă de date
Atributele produsului
Filtrați produsele similare
Afișați atributele goale
Categorie
Vgs(th) (Max) la Id
4,4V la 160mA
Producător
onsemi
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs
1195nC la 20V
Ambalaj
Tavă
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds
20889pF la 800V
Stare piesă
Activ
Putere - Max
979W (Tc)
Tehnologie
Silicon carbid (SiC)
Temperatură de funcționare
-40°C – 175°C (TJ)
Configurație
Canal 2 N (Semi-punte)
Tip montare
Cu montare pe carcasă
Caracteristică FET
Pachet/cutie
Modul
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)
1200V (1,2kV)
Pachet dispozitiv furnizor
36-PIM (56,7x62,8)
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C
350A (Tc)
Număr produs de bază
Rds pornit (Max) la Id, Vgs
5mOhm la 200A, 18V
Clasificări referitoare la mediu și export
Întrebări și răspunsuri referitoare la produse
Resurse suplimentare
În stoc: 17
Verificați stoc primit suplimentar
Toate prețurile sunt în RON
Tavă
Cantitate Preț unitar Ext Price
1944,86000 lei944,86 lei
20847,69850 lei16.953,97 lei
Pachet standard de la producător
Notă: Ca urmare a serviciilor DigiKey cu valoare adăugată, tipul de ambalare se poate modifica la achiziția produsului în cantități mai mici decât cea a ambalajului standard.
Preț unitar fără TVA:944,86000 lei
Preț unitar cu TVA:1.143,28060 lei