Name: NTMYS4D1N06CLTWG
Brand: onsemi
SKU: 488-NTMYS4D1N06CLTWGTR-ND
Price: 12.5598 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

NTMYS4D1N06CLTWG
Numărul produsului DigiKey	488-NTMYS4D1N06CLTWGTR-ND - Bandă și mosor (TR) 488-NTMYS4D1N06CLTWGCT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 488-NTMYS4D1N06CLTWGDKR-ND - Digi-Reel®
Producător	onsemi
Numărul produsului producătorului	NTMYS4D1N06CLTWG
Descriere	MOSFET N-CH 60V 22A/100A LFPAK4
Termen de livrare standard al producătorului	25 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 60 V 22A (Ta), 100A (Tc) 3,7W (Ta), 79W (Tc) Montare pe suprafață LFPAK4 (5x6)
Fișă de date	Fișă de date

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	onsemi
Serie	-
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	60 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	22A (Ta), 100A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	4,5V, 10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	4mOhm la 50A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	2V la 80µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	34 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	2200 pF @ 25 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	3,7W (Ta), 79W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	LFPAK4 (5x6)
Pachet/cutie	SOT-1023, 4-LFPAK
Număr produs de bază	NTMYS4