Name: FQB22P10TM
Brand: onsemi
SKU: FQB22P10TMTR-ND
Price: 15.367 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

FQB22P10TM
Numărul produsului DigiKey	FQB22P10TMTR-ND - Bandă și mosor (TR) FQB22P10TMCT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) FQB22P10TMDKR-ND - Digi-Reel®
Producător	onsemi
Numărul produsului producătorului	FQB22P10TM
Descriere	MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK
Termen de livrare standard al producătorului	10 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal P 100 V 22A (Tc) 3,75W (Ta), 125W (Tc) Montare pe suprafață TO-263 (D2PAK)
Fișă de date	Fișă de date

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 50 nC @ 10 V
Prod. onsemi	Vgs (Max) ±30V
Serie QFET®	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 1500 pF @ 25 V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Caracteristică FET –
Stare piesă Activ	Disipare putere (Max) 3,75W (Ta), 125W (Tc)
Tip FET Canal P	Temperatură de funcționare -55°C – 175°C (TJ)
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Grad –
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 100 V	Calificare –
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 22A (Tc)	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 10V	Pachet dispozitiv furnizor TO-263 (D2PAK)
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 125mOhm la 11A, 10V	Pachet/cutie TO-263-3, D2PAK (2 conductoare + lamelă), TO-263AB
Vgs(th) (Max) la Id 4V la 250µA	Număr produs de bază FQB22P10