Name: FQB12P20TM
Brand: onsemi
SKU: FQB12P20TMTR-ND
Price: 14.6168 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

FQB12P20TM
Numărul produsului DigiKey	FQB12P20TMTR-ND - Bandă și mosor (TR) FQB12P20TMCT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) FQB12P20TMDKR-ND - Digi-Reel®
Producător	onsemi
Numărul produsului producătorului	FQB12P20TM
Descriere	MOSFET P-CH 200V 11.5A D2PAK
Termen de livrare standard al producătorului	11 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal P 200 V 11,5A (Tc) 3,13W (Ta), 120W (Tc) Montare pe suprafață TO-263 (D2PAK)
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	FQB12P20TM Modele

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	onsemi
Serie	QFET®
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal P
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	200 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	11,5A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	470mOhm la 5,75A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	5V la 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	40 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±30V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	1200 pF @ 25 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	3,13W (Ta), 120W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 150°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	TO-263 (D2PAK)
Pachet/cutie	TO-263-3, D2PAK (2 conductoare + lamelă), TO-263AB
Număr produs de bază	FQB12P20