FDD6670A onsemi | FET-uri, MOSFET-uri individuale

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

FDD6670A
Numărul produsului DigiKey	FDD6670ATR-ND - Bandă și mosor (TR) FDD6670ACT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT)
Producător	onsemi
Numărul produsului producătorului	FDD6670A
Descriere	MOSFET N-CH 30V 15A/66A DPAK
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 30 V 15A (Ta), 66A (Tc) 3,2W (Ta), 63W (Tc) Montare pe suprafață TO-252AA
Fișă de date	Fișă de date

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 22 nC @ 5 V
Prod. onsemi	Vgs (Max) ±20V
Serie PowerTrench®	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 1755 pF @ 15 V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT)	Caracteristică FET –
Stare piesă Inactual	Disipare putere (Max) 3,2W (Ta), 63W (Tc)
Tip FET Canal-N	Temperatură de funcționare -55°C – 155°C (TJ)
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Grad –
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 30 V	Calificare –
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 15A (Ta), 66A (Tc)	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 4,5V, 10V	Pachet dispozitiv furnizor TO-252AA
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 8mOhm la 15A, 10V	Pachet/cutie TO-252-3, DPAK (2 conductoare + lamelă), SC-63
Vgs(th) (Max) la Id 3V la 250µA	Număr produs de bază FDD6670

Raportați o eroare legată de informațiile despre produs

Documente și media

Clasificări referitoare la mediu și export

Resurse suplimentare

Produse înlocuitoare (3)

Număr de catalog	Producător	CANTITATE DISPONIBILĂ	Numărul produsului DigiKey	Preț unitar	Tip produs înlocuitor
DMN3010LK3-13	Diodes Incorporated	0	31-DMN3010LK3-13CT-ND	5,03000 lei	Similar
IPD075N03LGATMA1	Infineon Technologies	6.634	IPD075N03LGATMA1CT-ND	5,07000 lei	Similar
IPD090N03LGATMA1	Infineon Technologies	93.382	IPD090N03LGATMA1CT-ND	4,86000 lei	Similar