FCPF7N60 este inactual și nu se mai fabrică.
Produse înlocuitoare disponibile:

Direct


Toshiba Semiconductor and Storage
În stoc: 0
Preț unitar : 11,41000 lei
Fișă de date

Similar


Rochester Electronics, LLC
În stoc: 1.105
Preț unitar : 4,12492 lei
Fișă de date

Similar


Infineon Technologies
În stoc: 140
Preț unitar : 6,45000 lei
Fișă de date

Similar


Rohm Semiconductor
În stoc: 490
Preț unitar : 13,95000 lei
Fișă de date

Similar


Rohm Semiconductor
În stoc: 183
Preț unitar : 19,83000 lei
Fișă de date

Similar


Rohm Semiconductor
În stoc: 76
Preț unitar : 12,81000 lei
Fișă de date

Similar


Vishay Siliconix
În stoc: 0
Preț unitar : 13,69000 lei
Fișă de date

Similar


Vishay Siliconix
În stoc: 0
Preț unitar : 4,18906 lei
Fișă de date

Similar


STMicroelectronics
În stoc: 1.764
Preț unitar : 9,70000 lei
Fișă de date

Similar


STMicroelectronics
În stoc: 1.328
Preț unitar : 8,03000 lei
Fișă de date

Similar


STMicroelectronics
În stoc: 313
Preț unitar : 18,25000 lei
Fișă de date

Similar


STMicroelectronics
În stoc: 257
Preț unitar : 10,93000 lei
Fișă de date

Similar


STMicroelectronics
În stoc: 1.359
Preț unitar : 18,78000 lei
Fișă de date

Similar


STMicroelectronics
În stoc: 768
Preț unitar : 15,14000 lei
Fișă de date
Canal-N 600 V 7A (Tc) 31W (Tc) Orificiu străpuns TO-220F-3
Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

FCPF7N60

Numărul produsului DigiKey
FCPF7N60-ND
Producător
Numărul produsului producătorului
FCPF7N60
Descriere
MOSFET N-CH 600V 7A TO220F
Referință client
Descriere detaliată
Canal-N 600 V 7A (Tc) 31W (Tc) Orificiu străpuns TO-220F-3
Fișă de date
 Fișă de date
Modele EDA/CAD
FCPF7N60 Modele
Atributele produsului
Tip
Descriere
Selectare globală
Categorie
Prod.
Serie
Ambalaj
Tub
Stare piesă
Inactual
Tip FET
Tehnologie
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)
10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs
600mOhm la 3,5A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id
5V la 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds
920 pF @ 25 V
Caracteristică FET
Disipare putere (Max)
31W (Tc)
Temperatură de funcționare
-55°C – 150°C (TJ)
Grad
Calificare
Tip montare
Orificiu străpuns
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220F-3
Pachet/cutie
Număr produs de bază
Întrebări și răspunsuri referitoare la produse

Vedeți ce întreabă inginerii, adresați-vă propriile întrebări sau ajutați un membru al comunității de ingineri DigiKey

Inactual
Acest produs nu se mai fabrică. Se Produse înlocuitoare.