IXTH52N65X este inactual și nu se mai fabrică.
Produse înlocuitoare disponibile:

MFR Recommended


IXYS
În stoc: 450
Preț unitar : 51,54000 lei
Fișă de date

Similar


onsemi
În stoc: 1.816
Preț unitar : 61,12000 lei
Fișă de date

Similar


Infineon Technologies
În stoc: 0
Preț unitar : 34,16000 lei
Fișă de date

Similar


Vishay Siliconix
În stoc: 509
Preț unitar : 48,47000 lei
Fișă de date

Similar


STMicroelectronics
În stoc: 913
Preț unitar : 57,35000 lei
Fișă de date

Similar


STMicroelectronics
În stoc: 443
Preț unitar : 52,63000 lei
Fișă de date
Canal-N 650 V 52A (Tc) 660W (Tc) Orificiu străpuns TO-247 (IXTH)
Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IXTH52N65X

Numărul produsului DigiKey
IXTH52N65X-ND
Producător
Numărul produsului producătorului
IXTH52N65X
Descriere
MOSFET N-CH 650V 52A TO247
Referință client
Descriere detaliată
Canal-N 650 V 52A (Tc) 660W (Tc) Orificiu străpuns TO-247 (IXTH)
Fișă de date
 Fișă de date
Modele EDA/CAD
IXTH52N65X Modele
Atributele produsului
Tip
Descriere
Selectare globală
Categorie
Prod.
Serie
Ambalaj
Tub
Stare piesă
Inactual
Tip FET
Tehnologie
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)
10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs
68mOhm la 26A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id
5V la 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs
113 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds
4350 pF @ 25 V
Caracteristică FET
Disipare putere (Max)
660W (Tc)
Temperatură de funcționare
-55°C – 150°C (TJ)
Grad
Calificare
Tip montare
Orificiu străpuns
Pachet dispozitiv furnizor
TO-247 (IXTH)
Pachet/cutie
Număr produs de bază
Întrebări și răspunsuri referitoare la produse

Vedeți ce întreabă inginerii, adresați-vă propriile întrebări sau ajutați un membru al comunității de ingineri DigiKey

Inactual
Acest produs nu se mai fabrică. Se Produse înlocuitoare.