Canal-N 1200 V 48A (Tc) – Cu montare pe carcasă SOT-227B
Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IXFN50N120SK

Numărul produsului DigiKey
IXFN50N120SK-ND
Producător
IXYS
Numărul produsului producătorului
IXFN50N120SK
Descriere
SICFET N-CH 1200V 48A SOT227B
Referință client
Descriere detaliată
Canal-N 1200 V 48A (Tc) – Cu montare pe carcasă SOT-227B
Fișă de date
 Fișă de date
Atributele produsului
Tip
Descriere
Selectare globală
Categorie
Prod.
IXYS
Serie
-
Ambalaj
Tub
Stare piesă
Inactual
Tip FET
Canal-N
Tehnologie
SiCFET (silicon carbid)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)
1200 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C
48A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)
20V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs
52mOhm la 40A, 20V
Vgs(th) (Max) la Id
2,8V la 10mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs
115 nC @ 20 V
Vgs (Max)
+20V, -5V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds
1895 pF @ 1000 V
Caracteristică FET
–
Disipare putere (Max)
–
Temperatură de funcționare
-40°C – 175°C (TJ)
Grad
–
Calificare
–
Tip montare
Cu montare pe carcasă
Pachet dispozitiv furnizor
SOT-227B
Pachet/cutie
SOT-227-4, miniBLOC
Număr produs de bază
IXFN50
Întrebări și răspunsuri referitoare la produse

Vedeți ce întreabă inginerii, adresați-vă propriile întrebări sau ajutați un membru al comunității de ingineri DigiKey

Inactual
Acest produs nu se mai fabrică.
V-ar mai putea interesa și
1 Articole
IXFN55N120SK

IXFN55N120SK

SIC AND MULTICHIP DISCRETE

IXYS

Indisponibil