Canal-N 1200 V 54A (Tc) – Cu montare pe carcasă SOT-227B
Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IXFN55N120SK

Numărul produsului DigiKey
238-IXFN55N120SK-ND
Producător
IXYS
Numărul produsului producătorului
IXFN55N120SK
Descriere
SIC AND MULTICHIP DISCRETE
Referință client
Descriere detaliată
Canal-N 1200 V 54A (Tc) – Cu montare pe carcasă SOT-227B
Fișă de date
 Fișă de date
Atributele produsului
Tip
Descriere
Selectare globală
Categorie
Prod.
IXYS
Serie
-
Ambalaj
Tub
Stare piesă
Inactual
Tip FET
Canal-N
Tehnologie
SiCFET (silicon carbid)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)
1200 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C
54A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)
15V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs
42mOhm la 40A, 15V
Vgs(th) (Max) la Id
3,6V la 12mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs
107 nC @ 15 V
Vgs (Max)
+15V, -4V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds
3360 pF @ 1000 V
Caracteristică FET
–
Disipare putere (Max)
–
Temperatură de funcționare
-40°C – 150°C (TJ)
Grad
–
Calificare
–
Tip montare
Cu montare pe carcasă
Pachet dispozitiv furnizor
SOT-227B
Pachet/cutie
SOT-227-4, miniBLOC
Întrebări și răspunsuri referitoare la produse

Vedeți ce întreabă inginerii, adresați-vă propriile întrebări sau ajutați un membru al comunității de ingineri DigiKey

Inactual
Acest produs nu se mai fabrică.