FII50-12E IXYS | Produse cu semiconductori discreți

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

FII50-12E
Numărul produsului DigiKey	FII50-12E-ND
Producător	IXYS
Numărul produsului producătorului	FII50-12E
Descriere	IGBT H BRIDGE 1200V 50A I4PAK5
Referință client
Descriere detaliată	Matrice IGBT NPT Semi-punte 1200 V 50 A 200 W Orificiu străpuns ISOPLUS i4-PAC™
Fișă de date	Fișă de date

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare IGBT-uri Matrice IGBT
Producător	IXYS
Serie	-
Ambalaj	Tub
Stare piesă	Inactual
Tip IGBT	NPT
Configurație	Semi-punte
Tensiune - Străpungere emițător colector (Max)	1200 V
Curent - Colector (Ic) (Max)	50 A
Putere - Max	200 W
Vce(on) (Max) la Vge, Ic	2,6V la 15V, 30A
Curent - Decuplare colector (Max)	400 µA
Capacitanță intrare (Cies) la Vce	2 nF @ 25 V
Intrare	Standard
Termistor NTC	Nu
Temperatură de funcționare	-55°C – 150°C (TJ)
Tip montare	Orificiu străpuns
Pachet/cutie	i4-Pac™-5
Pachet dispozitiv furnizor	ISOPLUS i4-PAC™
Număr produs de bază	FII50