Matrice IGBT

Rezultate : 20
Opțiuni stoc
Opțiuni de mediu
Media
Excludere
20Rezultate

Se afișează
din 20
Nr. catalog prod.
CANTITATE DISPONIBILĂ
Preț
Serie
Pachet
Stare produs
Tip IGBT
Configurație
Tensiune - Străpungere emițător colector (Max)
Curent - Colector (Ic) (Max)
Putere - Max
Vce(on) (Max) la Vge, Ic
Curent - Decuplare colector (Max)
Capacitanță intrare (Cies) la Vce
Intrare
Termistor NTC
Temperatură de funcționare
Tip montare
Pachet/cutie
Pachet dispozitiv furnizor
MMIX4B22N300
IGBT ARR FBRIDGE 3000V 38A 24SMD
IXYS
31
În stoc
1 : 425,19000 lei
Tub
Tub
Activ
Punte completă
3000 V
38 A
150 W
2,7V la 15V, 22A
35 µA
2.2 nF @ 25 V
Standard
Nu
-55°C – 150°C (TJ)
Montare pe suprafață
Modul 24-SMD, 9 derivații
24-SMPD
MMIX4G20N250
IGBT ARR FBRIDGE 2500V 23A 24SMD
IXYS
293
În stoc
1 : 462,68000 lei
Tub
-
Tub
Ultima ocazie de cumpărare
Punte completă
2500 V
23 A
100 W
3,1V la 15V, 20A
10 µA
1.19 nF @ 15 V
Standard
Nu
-55°C – 150°C (TJ)
Montare pe suprafață
Modul 24-SMD, 9 derivații
24-SMPD
32 PowerDIP
IGBT H BRIDGE 1200V 69A 9PWR SMD
STMicroelectronics
200
În stoc
1 : 85,15000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
200 : 47,78820 lei
Bandă și mosor (TR)
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
Semi-punte
1200 V
69 A
536 W
2,3V la 15V, 50A
25 µA
3152 pF @ 25 V
Standard
Nu
-55°C – 175°C (TJ)
Montare pe suprafață
9-PowerSMD
9-ACEPACK SMIT
IGBT ARR HBRIDGE 600V 30A I4PAK5
IGBT ARR HBRIDGE 600V 30A I4PAK5
IXYS
0
În stoc
25 : 27,79600 lei
Tub
-
Tub
Inactual
NPT
Semi-punte
600 V
30 A
100 W
2,4V la 15V, 20A
600 µA
1.1 nF @ 25 V
Standard
Nu
-55°C – 150°C (TJ)
Orificiu străpuns
i4-Pac™-5
ISOPLUS i4-PAC™
i4-Pac-5
IGBT ARR HBRIDGE 600V 40A I4PAK5
IXYS
0
În stoc
25 : 30,51640 lei
Vrac
-
Vrac
Inactual
NPT
Semi-punte
600 V
40 A
125 W
2,2V la 15V, 25A
600 µA
1.6 nF @ 25 V
Standard
Nu
-55°C – 150°C (TJ)
Orificiu străpuns
i4-Pac™-5
ISOPLUS i4-PAC™
IGBT H BRIDGE 1700V 18A I4PAK5
IGBT H BRIDGE 1700V 18A I4PAK5
IXYS
0
În stoc
Activ
-
Cutie
Activ
NPT
Semi-punte
1700 V
18 A
140 W
6V la 15V, 16A
100 µA
2.4 nF @ 25 V
Standard
Nu
-55°C – 150°C (TJ)
Orificiu străpuns
i4-Pac™-5
ISOPLUS i4-PAC™
IGBT H BRIDGE 1700V 18A I4PAK5
IGBT H BRIDGE 1700V 18A I4PAK5
IXYS
0
În stoc
Activ
-
Cutie
Activ
NPT
Semi-punte
1700 V
18 A
140 W
6V la 15V, 16A
100 µA
2.4 nF @ 25 V
Standard
Nu
Orificiu străpuns
i4-Pac™-5
ISOPLUS i4-PAC™
IGBT H BRIDGE 1200V 33A I4PAK5
IGBT H BRIDGE 1200V 33A I4PAK5
IXYS
0
În stoc
Inactual
-
Tub
Inactual
NPT
Semi-punte
1200 V
33 A
150 W
2,9V la 15V, 20A
200 µA
1.2 nF @ 25 V
Standard
Nu
-55°C – 150°C (TJ)
Orificiu străpuns
i4-Pac™-5
ISOPLUS i4-PAC™
IGBT H BRIDGE 1200V 50A I4PAK5
IGBT H BRIDGE 1200V 50A I4PAK5
IXYS
0
În stoc
Inactual
-
Tub
Inactual
NPT
Semi-punte
1200 V
50 A
200 W
2,6V la 15V, 30A
400 µA
2 nF @ 25 V
Standard
Nu
-55°C – 150°C (TJ)
Orificiu străpuns
i4-Pac™-5
ISOPLUS i4-PAC™
IGBT ARR H BRIDGE 1200V 32A 9SMD
IGBT ARR H BRIDGE 1200V 32A 9SMD
IXYS
0
În stoc
Inactual
-
Tub
Inactual
PT
Semi-punte
1200 V
32 A
130 W
2,1V la 15V, 15A
125 µA
-
Standard
Nu
-55°C – 150°C (TJ)
Montare pe suprafață
Modul 9-SMD
ISOPLUS-SMPD™.B
IGBT ARR H BRIDGE 1200V 32A 9SMD
IGBT ARR H BRIDGE 1200V 32A 9SMD
IXYS
0
În stoc
Inactual
-
Bandă și mosor (TR)
Inactual
PT
Semi-punte
1200 V
32 A
130 W
2,1V la 15V, 15A
125 µA
-
Standard
Nu
-55°C – 150°C (TJ)
Montare pe suprafață
Modul 9-SMD
ISOPLUS-SMPD™.B
IGBT ARR H BRIDGE 1200V 43A 9SMD
IGBT ARR H BRIDGE 1200V 43A 9SMD
IXYS
0
În stoc
Inactual
-
Tub
Inactual
PT
Semi-punte
1200 V
43 A
150 W
2,2V la 15V, 25A
2.1 mA
-
Standard
Nu
-55°C – 150°C (TJ)
Montare pe suprafață
Modul 9-SMD
ISOPLUS-SMPD™.B
IGBT ARR H BRIDGE 1200V 43A 9SMD
IGBT ARR H BRIDGE 1200V 43A 9SMD
IXYS
0
În stoc
Inactual
-
Bandă și mosor (TR)
Inactual
PT
Semi-punte
1200 V
43 A
150 W
2,2V la 15V, 25A
2.1 mA
-
Standard
Nu
-55°C – 150°C (TJ)
Montare pe suprafață
Modul 9-SMD
ISOPLUS-SMPD™.B
IGBT ARR H BRIDGE 1200V 63A 9SMD
IGBT ARR H BRIDGE 1200V 63A 9SMD
IXYS
0
În stoc
Inactual
-
Tub
Inactual
PT
Semi-punte
1200 V
63 A
230 W
2,15V la 15V, 35A
150 µA
-
Standard
Nu
-55°C – 150°C (TJ)
Montare pe suprafață
Modul 9-SMD
ISOPLUS-SMPD™.B
IGBT ARR H BRIDGE 1200V 63A 9SMD
IGBT ARR H BRIDGE 1200V 63A 9SMD
IXYS
0
În stoc
Inactual
-
Bandă și mosor (TR)
Inactual
PT
Semi-punte
1200 V
63 A
230 W
2,15V la 15V, 35A
150 µA
-
Standard
Nu
-55°C – 150°C (TJ)
Montare pe suprafață
Modul 9-SMD
ISOPLUS-SMPD™.B
IGBT ARR H BRIDGE 1200V 63A 9SMD
IGBT ARR H BRIDGE 1200V 63A 9SMD
IXYS
0
În stoc
Inactual
Tub
Inactual
PT
Semi-punte
1200 V
63 A
230 W
2,15V la 15V, 35A
150 µA
-
Standard
Nu
-55°C – 150°C (TJ)
Montare pe suprafață
Modul 9-SMD
ISOPLUS-SMPD™.B
IGBT ARR H BRIDGE 1200V 63A 9SMD
IGBT ARR H BRIDGE 1200V 63A 9SMD
IXYS
0
În stoc
Inactual
Bandă și mosor (TR)
Inactual
PT
Semi-punte
1200 V
63 A
230 W
2,15V la 15V, 35A
150 µA
-
Standard
Nu
-55°C – 150°C (TJ)
Montare pe suprafață
Modul 9-SMD
ISOPLUS-SMPD™.B
MMIX4B20N300
IGBT ARR FBRIDGE 3000V 34A 24SMD
IXYS
0
În stoc
Activ
Tub
Activ
Punte completă
3000 V
34 A
150 W
3,2V la 15V, 20A
-
-
Standard
Nu
-55°C – 150°C (TJ)
Montare pe suprafață
Modul 24-SMD, 9 derivații
24-SMPD
IGBT H BRIDGE 1700V 18A I4PAK4
IGBT H BRIDGE 1700V 18A I4PAK4
IXYS
0
În stoc
Inactual
-
Tub
Inactual
NPT
Semi-punte
1700 V
18 A
140 W
6V la 15V, 16A
100 µA
2.4 nF @ 25 V
Standard
Nu
-55°C – 150°C (TJ)
Orificiu străpuns
i4-Pac™-4, Izolat
ISOPLUS i4-PAC™
0
În stoc
Inactual
-
Vrac
Inactual
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Se afișează
din 20

Matrice IGBT


Tranzistoarele bipolare cu poartă izolată (IGBT) sunt dispozitive semiconductoare de putere cu trei terminale, de înaltă eficiență și cu comutare rapidă, utilizate în principal ca întrerupătoare electronice. Acestea sunt utilizate în sursele de alimentare cu comutație în aplicații de mare putere, cum ar fi acționările cu frecvență variabilă (VFD), automobilele electrice, trenurile, balasturile de lampă și aparatele de aer condiționat, precum și în amplificatoarele cu comutație – sisteme de sunet și sisteme de control industrial. Rețelele IGBT conțin mai multe dispozitive într-un singur pachet, în configurații cu punte completă sau cu punte parțială.