Name: SPB80P06PGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: SPB80P06PGATMA1TR-ND
Price: 29.3788 RON
Availability: OutOfStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

SPB80P06PGATMA1
Numărul produsului DigiKey	SPB80P06PGATMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR) SPB80P06PGATMA1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) SPB80P06PGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	SPB80P06PGATMA1
Descriere	MOSFET P-CH 60V 80A TO263-3
Termen de livrare standard al producătorului	17 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal P 60 V 80A (Tc) 340W (Tc) Montare pe suprafață PG-TO263-3-2
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	SPB80P06PGATMA1 Modele

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 173 nC @ 10 V
Prod. Infineon Technologies	Vgs (Max) ±20V
Serie SIPMOS®	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 5033 pF @ 25 V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Caracteristică FET –
Stare piesă Activ	Disipare putere (Max) 340W (Tc)
Tip FET Canal P	Temperatură de funcționare -55°C – 175°C (TJ)
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Grad Automobile
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 60 V	Calificare AEC-Q101
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 80A (Tc)	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 10V	Pachet dispozitiv furnizor PG-TO263-3-2
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 23mOhm la 64A, 10V	Pachet/cutie TO-263-3, D2PAK (2 conductoare + lamelă), TO-263AB
Vgs(th) (Max) la Id 4V la 5,5mA	Număr produs de bază SPB80P06