Name: ISG0614N06NM5HSCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISG0614N06NM5HSCATMA1TR-ND
Price: 27.8058 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

ISG0614N06NM5HSCATMA1
Numărul produsului DigiKey	448-ISG0614N06NM5HSCATMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR) 448-ISG0614N06NM5HSCATMA1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 448-ISG0614N06NM5HSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	ISG0614N06NM5HSCATMA1
Descriere	MOSFET 2N-CH 60V 31A 10WHITFN
Termen de livrare standard al producătorului	18 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Matrice MOSFET 60V 31A (Ta), 233A (Tc) 3W (Ta), 167W (Tc) Montare pe suprafață PG-WHITFN-10-1
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	ISG0614N06NM5HSCATMA1 Modele

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri Matrice FET, MOSFET
Producător	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 5
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Configurație	Canal 2 N (Semi-punte)
Caracteristică FET	–
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	60V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	31A (Ta), 233A (Tc)
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	1,6mOhm la 50A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	3,3V la 86µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	102nC la 10V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	6400pF la 30V
Putere - Max	3W (Ta), 167W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet/cutie	10-PowerWDFN
Pachet dispozitiv furnizor	PG-WHITFN-10-1