Name: ISG0613N04NM6HATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISG0613N04NM6HATMA1TR-ND
Price: 23.4256 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

ISG0613N04NM6HATMA1
Numărul produsului DigiKey	448-ISG0613N04NM6HATMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR) 448-ISG0613N04NM6HATMA1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 448-ISG0613N04NM6HATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	ISG0613N04NM6HATMA1
Descriere	MOSFET 2N-CH 40V 42A 10VITFN
Termen de livrare standard al producătorului	18 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Matrice MOSFET 40V 42A (Ta), 299A (Tc) 3W (Ta), 167W (Tc) Montare pe suprafață PG-VITFN-10-1
Fișă de date	Fișă de date

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri Matrice FET, MOSFET
Producător	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 6
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Configurație	Canal 2 N (Semi-punte)
Caracteristică FET	–
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	40V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	42A (Ta), 299A (Tc)
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	0,88mOhm la 50A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	2,8V la 780µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	104nC la 10V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	6200pF la 20V
Putere - Max	3W (Ta), 167W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet/cutie	10-PowerVDFN
Pachet dispozitiv furnizor	PG-VITFN-10-1