Name: ISC058N04NM5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISC058N04NM5ATMA1TR-ND
Price: 6.1589 RON
Availability: InStock

ISC058N04NM5ATMA1
Numărul produsului DigiKey	448-ISC058N04NM5ATMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR) 448-ISC058N04NM5ATMA1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 448-ISC058N04NM5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	ISC058N04NM5ATMA1
Descriere	40V 5.8M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Termen de livrare standard al producătorului	61 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 40 V 17A (Ta), 63A (Tc) 3W (Ta), 42W (Tc) Montare pe suprafață PG-TDSON-8 FL
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	ISC058N04NM5ATMA1 Modele

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 5
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	40 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	17A (Ta), 63A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	7V, 10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	5,8mOhm la 31A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	3,4V la 13µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	16 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	1100 pF @ 20 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	3W (Ta), 42W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	PG-TDSON-8 FL
Pachet/cutie	8-PowerTDFN
Număr produs de bază	ISC058N

Preț unitar fără TVA:	5,09000 lei
Preț unitar cu TVA:	6,15890 lei

ISC058N04NM5ATMA1