Name: IRLR3636TRLPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IRLR3636TRLPBFTR-ND
Price: 12.4267 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IRLR3636TRLPBF
Numărul produsului DigiKey	448-IRLR3636TRLPBFTR-ND - Bandă și mosor (TR) 448-IRLR3636TRLPBFCT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 448-IRLR3636TRLPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IRLR3636TRLPBF
Descriere	MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
Termen de livrare standard al producătorului	25 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 60 V 50A (Tc) 143W (Tc) Montare pe suprafață
Fișă de date	Fișă de date

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 49 nC @ 4.5 V
Prod. Infineon Technologies	Vgs (Max) ±16V
Serie HEXFET®	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 3779 pF @ 50 V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Caracteristică FET –
Stare piesă Activ	Disipare putere (Max) 143W (Tc)
Tip FET Canal-N	Temperatură de funcționare -55°C – 175°C (TJ)
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Grad –
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 60 V	Calificare –
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 50A (Tc)	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 4,5V, 10V	Pachet dispozitiv furnizor TO-252AA (DPAK)
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 6,8mOhm la 50A, 10V	Pachet/cutie TO-252-3, DPAK (2 conductoare + lamelă), SC-63
Vgs(th) (Max) la Id 2,5V la 100µA	Număr produs de bază IRLR3636