Canal P 100 V 6,8A (Tc) Orificiu străpuns TO-220AB
Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IRF9520NPBF

Numărul produsului DigiKey
IRF9520NPBF-ND
Producător
Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului
IRF9520NPBF
Descriere
MOSFET P-CH 100V 6.8A TO220AB
Referință client
Descriere detaliată
Canal P 100 V 6,8A (Tc) Orificiu străpuns TO-220AB
Fișă de date
 Fișă de date
Modele EDA/CAD
IRF9520NPBF Modele
Atributele produsului
Tip
Descriere
Selectare globală
Categorie
Prod.
Infineon Technologies
Serie
HEXFET®
Ambalaj
Tub
Stare piesă
Inactual
Tip FET
Canal P
Tehnologie
MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C
6,8A (Tc)
Rds pornit (Max) la Id, Vgs
480mOhm la 4A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id
4V la 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs
27 nC @ 10 V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds
350 pF @ 25 V
Caracteristică FET
–
Grad
–
Calificare
–
Tip montare
Orificiu străpuns
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220AB
Pachet/cutie
TO-220-3
Număr produs de bază
IRF9520
Întrebări și răspunsuri referitoare la produse

Vedeți ce întreabă inginerii, adresați-vă propriile întrebări sau ajutați un membru al comunității de ingineri DigiKey

Inactual
Acest produs nu se mai fabrică.
Produs asociatVizualizare toate
2 Articole
IRS10752LTRPBF

IRS10752LTRPBF

IC GATE DRVR HIGH-SIDE SOT23-6

Infineon Technologies

3,03000 lei
IRS2005STRPBF

IRS2005STRPBF

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

Infineon Technologies

3,69000 lei
V-ar mai putea interesa șiVizualizare toate
3 Articole
IRF9520PBF

IRF9520PBF

MOSFET P-CH 100V 6.8A TO220AB

Vishay Siliconix

7,28000 lei
IRF9520PBF-BE3

IRF9520PBF-BE3

MOSFET P-CH 100V 6.8A TO220AB

Vishay Siliconix

11,63000 lei
IRF9530NPBF

IRF9530NPBF

MOSFET P-CH 100V 14A TO220AB

Infineon Technologies

6,45000 lei