Name: IRF8010STRLPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF8010STRLPBFTR-ND
Price: 17.3635 RON
Availability: InStock

IRF8010STRLPBF
Numărul produsului DigiKey	IRF8010STRLPBFTR-ND - Bandă și mosor (TR) IRF8010STRLPBFCT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) IRF8010STRLPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IRF8010STRLPBF
Descriere	MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Termen de livrare standard al producătorului	35 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 100 V 80A (Tc) 260W (Tc) Montare pe suprafață D2PAK
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	IRF8010STRLPBF Modele

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	100 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	80A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	15mOhm la 45A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	4V la 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	120 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	3830 pF @ 25 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	260W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	D2PAK
Pachet/cutie	TO-263-3, D2PAK (2 conductoare + lamelă), TO-263AB
Număr produs de bază	IRF8010

Preț unitar fără TVA:	14,35000 lei
Preț unitar cu TVA:	17,36350 lei

IRF8010STRLPBF