Name: IRF7832TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF7832PBFTR-ND
Price: 9.3412 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IRF7832TRPBF
Numărul produsului DigiKey	IRF7832PBFTR-ND - Bandă și mosor (TR) IRF7832PBFCT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) IRF7832PBFDKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IRF7832TRPBF
Descriere	MOSFET N-CH 30V 20A 8SO
Termen de livrare standard al producătorului	29 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 30 V 20A (Ta) 2,5W (Ta) Montare pe suprafață 8-SO
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	IRF7832TRPBF Modele

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 51 nC @ 4.5 V
Prod. Infineon Technologies	Vgs (Max) ±20V
Serie HEXFET®	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 4310 pF @ 15 V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Caracteristică FET –
Stare piesă Activ	Disipare putere (Max) 2,5W (Ta)
Tip FET Canal-N	Temperatură de funcționare -55°C – 155°C (TJ)
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Grad –
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 30 V	Calificare –
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 20A (Ta)	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 4,5V, 10V	Pachet dispozitiv furnizor 8-SO
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 4mOhm la 20A, 10V	Pachet/cutie 8-SOIC (0,154", 3,90mm lățime)
Vgs(th) (Max) la Id 2,32V la 250µA	Număr produs de bază IRF7832