Name: IRF7303TRPBFXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IRF7303TRPBFXTMA1TR-ND
Price: 7.2842 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IRF7303TRPBFXTMA1
Numărul produsului DigiKey	448-IRF7303TRPBFXTMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR) 448-IRF7303TRPBFXTMA1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 448-IRF7303TRPBFXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IRF7303TRPBFXTMA1
Descriere	MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8DSO-902
Termen de livrare standard al producătorului	26 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Matrice MOSFET 30V 4,9A (Ta) 2W (Ta) Montare pe suprafață PG-DSO-8-902
Fișă de date	Fișă de date

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri Matrice FET, MOSFET
Producător	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Configurație	Canal 2 N (dublu)
Caracteristică FET	–
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	30V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	4,9A (Ta)
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	50mOhm la 2,4A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	1V la 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	25nC la 10V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	520pF la 25V
Putere - Max	2W (Ta)
Temperatură de funcționare	-55°C – 150°C (TJ)
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet/cutie	8-SOIC (0,154", 3,90mm lățime)
Pachet dispozitiv furnizor	PG-DSO-8-902