Name: IRF5210STRLPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF5210STRLPBFTR-ND
Price: 26.015 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IRF5210STRLPBF
Numărul produsului DigiKey	IRF5210STRLPBFTR-ND - Bandă și mosor (TR) IRF5210STRLPBFCT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) IRF5210STRLPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IRF5210STRLPBF
Descriere	MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
Termen de livrare standard al producătorului	28 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal P 100 V 38A (Tc) 3,1W (Ta), 170W (Tc) Montare pe suprafață D2PAK
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	IRF5210STRLPBF Modele

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 230 nC @ 10 V
Prod. Infineon Technologies	Vgs (Max) ±20V
Serie HEXFET®	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 2780 pF @ 25 V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Caracteristică FET –
Stare piesă Activ	Disipare putere (Max) 3,1W (Ta), 170W (Tc)
Tip FET Canal P	Temperatură de funcționare -55°C – 150°C (TJ)
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Grad –
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 100 V	Calificare –
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 38A (Tc)	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 10V	Pachet dispozitiv furnizor D2PAK
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 60mOhm la 38A, 10V	Pachet/cutie TO-263-3, D2PAK (2 conductoare + lamelă), TO-263AB
Vgs(th) (Max) la Id 4V la 250µA	Număr produs de bază IRF5210