Name: IQDH35N03LM5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQDH35N03LM5ATMA1TR-ND
Price: 22.3487 RON
Availability: InStock

IQDH35N03LM5ATMA1
Numărul produsului DigiKey	448-IQDH35N03LM5ATMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR) 448-IQDH35N03LM5ATMA1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 448-IQDH35N03LM5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IQDH35N03LM5ATMA1
Descriere	TRENCH <= 40V
Termen de livrare standard al producătorului	29 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 30 V 66A (Ta), 700A (Tc) 2,5W (Ta), 278W (Tc) Montare pe suprafață PG-TSON-8-9
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	IQDH35N03LM5ATMA1 Modele

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 5
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	30 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	66A (Ta), 700A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	4,5V, 10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	0,35mOhm la 50A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	2V la 1,46mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	262 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	18000 pF @ 15 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	2,5W (Ta), 278W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 150°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	PG-TSON-8-9
Pachet/cutie	8-PowerTDFN

Preț unitar fără TVA:	18,47000 lei
Preț unitar cu TVA:	22,34870 lei

IQDH35N03LM5ATMA1